G60N04K دیتاشیت

G60N04K

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G60N04K
حجم فایل 75.64 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت G60N04K

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G60N04K
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 65W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 29nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.8nF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 190pF@20V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.3mΩ
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه