IPD30N06S215ATMA2 دیتاشیت

IPD30N06S215ATMA2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD30N06S215ATMA2
حجم فایل 57.382 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت IPD30N06S215ATMA2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD30N06S215ATMA2
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 136W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 110nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 55V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1485pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@80uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 14.7mΩ@10V,30A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه