IPD053N06N دیتاشیت

IPD053N06N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD053N06N
حجم فایل 58.523 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت IPD053N06N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD053N06N
  • Power Dissipation (Pd): 3W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 18A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.8V@36uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.3mΩ@10V,45A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه