LDN2367T1G دیتاشیت

LDN2367T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت LDN2367T1G
حجم فایل 76.787 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت LDN2367T1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: LRC LDN2367T1G
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 12nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 900pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 6.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 100pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 16mΩ@4.5V,4.5A
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: LRC

محصولات مشابه