IPP100N06S2L-05 دیتاشیت

IPB100N06S2L-05

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB100N06S2L-05
حجم فایل 62.456 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت IPB100N06S2L-05

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPP100N06S2L-05
  • Power Dissipation (Pd): 300W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 55V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.7mΩ@10V,80A
  • Package: TO-220-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه