SVF4N65F دیتاشیت

SVF4N65F

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SVF4N65F
حجم فایل 53.716 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت SVF4N65F

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65F
  • Power Dissipation (Pd): 30W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.7Ω@10V,2A
  • Package: TO-220F-3
  • Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics

محصولات مشابه