BCW33LT3G دیتاشیت

BCW33LT3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BCW33LT3G
حجم فایل 75.377 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت BCW33LT3G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi BCW33LT3G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 420@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 32V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@10mA,500uA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه