SIR426DP-T1-GE3 دیتاشیت

SIR426DP-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIR426DP-T1-GE3
حجم فایل 97.775 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت SIR426DP-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIR426DP-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 4.8W;41.7W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 31nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1160pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10.5mΩ@4.5V,15A
  • Package: PowerPAK-SO-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه