HY3010B دیتاشیت

HY3010P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY3010P
حجم فایل 64.3 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HY3010P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY3010B
  • Operating Temperature: +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 192W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 76nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.1nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 260pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@10V,50A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه