TPD65R600C دیتاشیت

TPD65R600C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPD65R600C
حجم فایل 93.349 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت TPD65R600C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TPD65R600C
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 63W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 587pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 4pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 560mΩ@10V,3A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: WUXI UNIGROUP MICRO

محصولات مشابه