HY12P03S دیتاشیت

HY12P03S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY12P03S
حجم فایل 46.481 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت HY12P03S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY12P03S
  • Power Dissipation (Pd): 3.1W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@10V,12A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه