IRFB4137PBF دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IRFB4137PBF
|
|
حجم فایل
|
88.964
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
8
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IRFB4137PBF
-
Operating Temperature:
-55°C~+175°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
341W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
125nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
300V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
5168pF@50V
-
Continuous Drain Current (Id):
38A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
5V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
69mΩ@10V,24A
-
Package:
TO-220
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
