WSD45P10DN56 دیتاشیت

WSD45P10DN56

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت WSD45P10DN56
حجم فایل 67.396 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت WSD45P10DN56

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Winsok Semicon WSD45P10DN56
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 104W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 75nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.59nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 27.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 45pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 62mΩ@10V,20A
  • Package: DFN-8(4.9x5.8)
  • Manufacturer: Winsok Semicon

محصولات مشابه