TPWR8503NL,L1Q دیتاشیت

TPWR8503NL,L1Q

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPWR8503NL,L1Q
حجم فایل 42.068 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت TPWR8503NL,L1Q

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: TOSHIBA TPWR8503NL,L1Q
  • Power Dissipation (Pd): 800mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 150A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.3V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.85mΩ@10V,50A
  • Package: DSOP-8-EP-5.0mm
  • Manufacturer: TOSHIBA

محصولات مشابه