NCE80T560F دیتاشیت

NCE80T560F

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE80T560F
حجم فایل 86.469 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت NCE80T560F

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE80T560F
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 33.2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 25nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 800V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.2nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 0.3pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 480mΩ@10V,4A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه