دیتاشیت BFR 35AP E6327
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
BFR 35AP E6327
|
حجم فایل |
72.64
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
6
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
Infineon Technologies BFR 35AP E6327
-
Transistor Type:
NPN
-
Collector Current (Ic):
45mA
-
Power Dissipation (Pd):
280mW
-
Transition Frequency (fT):
5GHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
70@15mA,8V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
-
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
15V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
-
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
Infineon Technologies