HY4008B دیتاشیت

HY4008B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY4008B
حجم فایل 52.549 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

دانلود دیتاشیت HY4008B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY4008B
  • Power Dissipation (Pd): 345W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Continuous Drain Current (Id): 200A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.5mΩ@10V,100A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه