دیتاشیت BSZ130N03MS G
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
BSZ130N03MS G
|
حجم فایل |
57.967
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies BSZ130N03MS G
-
Power Dissipation (Pd):
2.1W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
30V
-
Continuous Drain Current (Id):
9A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
11.5mΩ@10V,20A
-
Package:
TSDSON-8(3.3x3.3)
-
Manufacturer:
Infineon Technologies