PMDXB1200UPEZ دیتاشیت

PMDXB1200UPEZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PMDXB1200UPEZ
حجم فایل 61.134 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت PMDXB1200UPEZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 P-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PMDXB1200UPEZ
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 285mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 0.7nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 43.2pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 410mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 700mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 4.2pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2Ω@4.5V,410mA
  • Package: SOT1216
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه