RU1H35R دیتاشیت

RU1H35R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RU1H35R
حجم فایل 70.019 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت RU1H35R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shenzhen ruichips Semicon RU1H35R
  • Operating Temperature: +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 111W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 44nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.1nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 40A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 115pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 21mΩ@10V,16A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Shenzhen ruichips Semicon

محصولات مشابه