NCE60H10K دیتاشیت

NCE60H10K

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE60H10K
حجم فایل 82.073 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCE60H10K

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE60H10K
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 170W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 100nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4900pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.85V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 290pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ@10V,20A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه