TTD30P10AT دیتاشیت

TTD30P10AT

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TTD30P10AT
حجم فایل 77.464 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت TTD30P10AT

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TTD30P10AT
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 136W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 140nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 8.704nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 135pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@10V,15A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: WUXI UNIGROUP MICRO

محصولات مشابه