دیتاشیت MMBT8050D
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
MMBT8050D
|
| حجم فایل |
74.618
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
3
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
PJSEMI MMBT8050D
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
600mA
-
Power Dissipation (Pd):
350mW
-
Transition Frequency (fT):
100MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
160@100mA,1V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
25V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
500mV@500mA,50mA
-
Package:
SOT-23
-
Manufacturer:
PJSEMI
