TPB65R070D دیتاشیت

TPB65R070D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPB65R070D
حجم فایل 77.081 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت TPB65R070D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TPB65R070D
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 312W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 80nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.134nF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 45A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 4pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@10V,22A
  • Package: TO-263-2
  • Manufacturer: WUXI UNIGROUP MICRO

محصولات مشابه