NSBC114EPDXV6T5G دیتاشیت

NSBC114EPDP6T5G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSBC114EPDP6T5G
حجم فایل 89.763 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت NSBC114EPDP6T5G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: onsemi NSBC114EPDXV6T5G
  • Transistor Type: 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 35@5mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@10mA,300uA
  • Package: SOT-563
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه