دیتاشیت FQD18N20V2TM-VB

FQD18N20V2TM-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQD18N20V2TM-VB
حجم فایل 66.776 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت FQD18N20V2TM-VB

FQD18N20V2TM-VB Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec FQD18N20V2TM-VB
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 200V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@10V,30A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: VBsemi Elec

دیتاشیت محصولات مشابه