HYG050N08NS1P دیتاشیت

HYG050N08NS1P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG050N08NS1P
حجم فایل 65.119 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HYG050N08NS1P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG050N08NS1P
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 187.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 68nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.28nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 130A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 25pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4mΩ@10V,50A
  • Package: TO-220FB-3
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه