onsemi NTMT110N65S3HF دیتاشیت

NTMT110N65S3HF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTMT110N65S3HF
حجم فایل 50.018 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت NTMT110N65S3HF-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Type: N-Channel
  • Number: 1 N-channel
  • RDS(on): 110mΩ
  • Gate Charge(Qg): 62nC
  • Ciss-Input Capacitance: 2.635nF
  • Pd - Power Dissipation: 240W
  • Drain to Source Voltage: 650V
  • Operating Temperature -: -55℃~+150℃
  • Current - Continuous Drain(Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 5V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Package: PQFN-4(8x8)

محصولات مشابه