HY1210D دیتاشیت

HY1210D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY1210D
حجم فایل 67.518 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HY1210D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY1210D
  • Power Dissipation (Pd): 50W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 26A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 36mΩ@10V,10A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه