IMD9AT108 دیتاشیت

IMD9AT108

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IMD9AT108
حجم فایل 76.099 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت IMD9AT108

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: ROHM Semicon IMD9AT108
  • Transistor Type: 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 250MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 68@5mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@5mA,250uA
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه