دیتاشیت NCE65T360F
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
NCE65T360F
|
| حجم فایل |
87.286
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
10
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Wuxi NCE Power Semiconductor NCE65T360F
-
Power Dissipation (Pd):
32.6W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
650V
-
Continuous Drain Current (Id):
11.5A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
360mΩ@10V,7A
-
Package:
TO-220
-
Manufacturer:
Wuxi NCE Power Semiconductor
