- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت BSS169H6327
BSS169H6327 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | BSS169H6327 |
|---|---|
| حجم فایل | 71.292 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت BSS169H6327 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies BSS169H6327
- Power Dissipation (Pd): 360mW
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Continuous Drain Current (Id): 170mA
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@50uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6Ω@10V,170mA
- Package: SOT-23
- Manufacturer: Infineon Technologies