دیتاشیت Si2308BDS-T1-GE3

Si2308BDS-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت Si2308BDS-T1-GE3
حجم فایل 74.713 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت Si2308BDS-T1-GE3

Si2308BDS-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech Si2308BDS-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.09W;1.66W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 6.8nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 190pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 156mΩ@10V,1.9A
  • Package: SOT-23-3
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه