SI7812DN-T1-E3 دیتاشیت

SI7812DN-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI7812DN-T1-E3
حجم فایل 80.52 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت SI7812DN-T1-E3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI7812DN-T1-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.8W;52W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 24nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 75V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 840pF@35V
  • Continuous Drain Current (Id): 16A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 37mΩ@10V,7.2A
  • Package: PowerPAK1212-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه