HY4903B6 دیتاشیت

HY4903B6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY4903B6
حجم فایل 65.719 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HY4903B6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY4903B6
  • Power Dissipation (Pd): 268W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 314A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.7mΩ@10V,150A
  • Package: TO-263-6
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه