MJD2955RLG دیتاشیت

MJD2955RLG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD2955RLG
حجم فایل 87.781 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت MJD2955RLG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi MJD2955RLG
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 10A
  • Power Dissipation (Pd): 20W
  • Transition Frequency (fT): 2MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 20@4mA,4V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 20nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 60V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 8V@10A,3.3A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه