دیتاشیت IPP030N10N3 G
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPP030N10N3 G |
|---|---|
| حجم فایل | 64.577 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 10 |
دانلود دیتاشیت IPP030N10N3 G |
IPP030N10N3 G Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPP030N10N3 G
- Power Dissipation (Pd): 300W
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Continuous Drain Current (Id): 100A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@275uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3mΩ@10V,100A
- Package: TO-220-3
- Manufacturer: Infineon Technologies
