SPA11N65C3XKSA1 دیتاشیت

SPA11N65C3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SPA11N65C3
حجم فایل 81.985 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت SPA11N65C3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies SPA11N65C3XKSA1
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 33W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 60nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1200pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 11A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.9V@500uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 380mΩ@10V,7A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه