HSBB6113 دیتاشیت

HSBB6113

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSBB6113
حجم فایل 74.465 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت HSBB6113

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSBB6113
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11.8nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.08nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 13A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 50pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 90mΩ@10V,10A
  • Package: PRPAK(3x3)
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه