- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPN60R2K1CE
IPN60R2K1CE دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPN60R2K1CE |
|---|---|
| حجم فایل | 68.353 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 13 |
دانلود دیتاشیت IPN60R2K1CE |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPN60R2K1CE
- Power Dissipation (Pd): 5W
- Drain Source Voltage (Vdss): 600V
- Continuous Drain Current (Id): 3.7A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@60uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.1Ω@10V,800mA
- Package: SOT-223
- Manufacturer: Infineon Technologies