IPN60R2K1CE دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
Infineon IPN60R2K1CE
|
|
حجم فایل
|
68.353
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
13
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPN60R2K1CE
-
Power Dissipation (Pd):
5W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
600V
-
Continuous Drain Current (Id):
3.7A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.5V@60uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
2.1Ω@10V,800mA
-
Package:
SOT-223
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
