IPB65R099C6 دیتاشیت

IPB65R099C6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB65R099C6
حجم فایل 35.398 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 20

مشاهده دیتاشیت IPB65R099C6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPB65R099C6
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TO-263-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه