BL6N120-A دیتاشیت

BL6N120-A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BL6N120-A
حجم فایل 83.626 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 16

مشاهده دیتاشیت BL6N120-A

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: BL(Shanghai Belling) BL6N120-A
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 63W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 38nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 1200V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1960pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 4.2pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.3Ω@10V,3A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: BL(Shanghai Belling)

محصولات مشابه