NSBA143TDXV6T5G دیتاشیت

MUN5116DW1T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MUN5116DW1T1G
حجم فایل 85.43 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت MUN5116DW1T1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: onsemi NSBA143TDXV6T5G
  • Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 160@5mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@10mA,1mA
  • Package: SOT-563
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه