GL4N65FA9 دیتاشیت

GL4N65FA9

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت GL4N65FA9
حجم فایل 86.105 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت GL4N65FA9

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GL GL4N65FA9
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 30W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 544pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 8.5pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.9Ω@10V,2A
  • Package: TO-220F-3
  • Manufacturer: GL

محصولات مشابه