MUN5235T1G دیتاشیت

DTC123JET1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DTC123JET1G
حجم فایل 90.323 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

دانلود دیتاشیت DTC123JET1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: onsemi MUN5235T1G
  • Transistor Type: 1 NPN - Pre Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 202mW
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 80@5mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@1mA,10mA
  • Package: SC-70-3
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه