HYG060P04LQ1D دیتاشیت

HYG060P04LQ1D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG060P04LQ1D
حجم فایل 70.105 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HYG060P04LQ1D-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG060P04LQ1D
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 65W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 63nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6.774nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 70A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 403pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.8mΩ@10V,20A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه