دیتاشیت SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI2392ADS-T1-GE3
حجم فایل 89.734 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI2392ADS-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.25W;2.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 10.4nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 196pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 3.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 126mΩ@10V,2A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Vishay Intertech