SI2314EDS-T1-E3 دیتاشیت

SI2314EDS-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI2314EDS-T1-E3
حجم فایل 75.388 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت SI2314EDS-T1-E3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI2314EDS-T1-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 750mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 3.77A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 950mV@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 33mΩ@4.5V,5A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه