GOFORD GT1003A دیتاشیت

GT1003A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت GT1003A
حجم فایل 80.484 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت GT1003A

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD GT1003A
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 1.6W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 4.3nC@50V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 206pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 1.4pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 110mΩ@10V,3A
  • Package: SOT-23-3L

محصولات مشابه